科学家突破 SOT-MRAM 材料难题，推动新一代存储芯片发展

中国台湾阳明交通大学（NYCU）联合台积电、国立中兴大学（NCHU）以及美国斯坦福大学等机构，成功攻克了自旋轨道力矩磁阻式磁性存储器（SOT-MRAM）的核心材料难题。这一突破为下一代非易失性存储技术铺平了道路。

这项研究由阳明交通大学助理教授黄彦霖主导，成果已于 9 月发表在《自然・电子学》上。研究团队开发出一种新方法，使 SOT-MRAM 的关键材料——β 相钨（β-W）在高温制程中仍能保持稳定，为制造超高速、低能耗且具商业化潜力的存储芯片奠定了基础。

突破性研究的背景与意义

阳明交通大学表示，此项突破解决了存储器领域十年未解之困。传统的易失性存储器如 DRAM 虽然速度快，但断电后数据会丢失；而非易失性存储器如 Flash 闪存则能长期保存数据，但速度受到限制。

据 IT 之家了解，此前的相变存储器（PCM）和自旋转移矩存储器（STT-MRAM）等方案均存在速度、耐用性或功耗方面的缺陷。黄彦霖团队的研究成果有望加速 SOT-MRAM 的商业化进程，其高速、低功耗、非易失性特质可能推动多个领域的变革。

该研究方案实现了四项业界首次验证，具体细节尚未全面公开，但其核心在于β 相钨的稳定性提升。通过这一突破，SOT-MRAM 的应用前景得到了极大的扩展。

黄彦霖在接受采访时表示：“我们的方法不仅在实验室中得到了验证，还具备实际应用的潜力。这为未来存储器技术的发展提供了新的方向。”

“SOT-MRAM 的商业化进程将因这一突破而大大加速。” —— 黄彦霖

随着 SOT-MRAM 技术的逐渐成熟，其在多个领域的应用前景广阔。尤其是在需要高效数据存储和处理的领域，如人工智能、物联网和大数据分析等，SOT-MRAM 的优势将更加明显。

此外，SOT-MRAM 的低能耗特性也符合当前全球对绿色科技的需求，有望在减少能源消耗方面发挥重要作用。

尽管 SOT-MRAM 的商业化仍需时间，但这一突破无疑为未来的技术创新提供了新的可能性。随着研究的深入和技术的成熟，SOT-MRAM 有望成为新一代存储器的主流选择。

未来，研究团队计划继续优化材料性能，并与产业界合作，推动技术的实际应用。