铠侠-闪迪北上市K2工厂投运，NAND需求预期强劲

IT之家9月30日消息，铠侠与闪迪今日联合宣布，位于日本岩手县北上市的K2制造大楼（北上市Fab2）正式投入运营。这座最先进的NAND晶圆厂具备BiCS8闪存制造能力，预计将在2026年上半年达到有意义的产出水平。

北上市Fab2晶圆厂的建筑部分于2024年7月完工，距今约14个月。这座工厂采用抗震建筑结构，并扩大了洁净室空间的可用比例，导入了最先进的节能制造设备，同时将人工智能用于提高生产效率。

铠侠执行副总裁兼执行官渡边友治在接受彭博社采访时表示，随着生成式AI服务器的新增需求以及传统服务器的更新需求，预计NAND闪存市场在未来几年将维持快速增长的势头。

背景与意义

此次K2制造大楼的投运标志着铠侠与闪迪在NAND闪存领域的又一重要里程碑。两家公司自2016年起便开始合作，致力于通过技术创新和生产能力的扩展来满足全球市场的需求。

近年来，随着智能设备、数据中心和云计算的快速发展，NAND闪存的需求呈现出爆发式增长。根据市场研究机构的数据显示，全球NAND闪存市场在过去五年中年均增长率超过10%。

行业专家指出，随着5G技术的普及和物联网设备的增多，NAND闪存的应用场景将更加广泛。市场分析师预计，未来几年内，NAND闪存的需求将继续保持强劲增长。

“NAND闪存市场的增长不仅仅来自于消费电子产品的需求，还包括企业级应用的扩展，”一位业内分析师表示。

此外，生成式AI技术的发展也为NAND市场带来了新的增长动力。随着AI服务器的需求增加，NAND闪存作为存储解决方案的重要组成部分，其市场需求将进一步扩大。

尽管市场前景乐观，NAND行业仍面临一些挑战。生产成本的控制、技术研发的持续投入以及市场竞争的加剧都是企业需要应对的问题。

然而，铠侠与闪迪的合作为其在全球市场的竞争力提供了有力支持。两家公司表示，将继续通过技术创新和战略合作来巩固其市场地位。

随着K2制造大楼的投运，铠侠与闪迪不仅增强了其生产能力，也为未来的市场需求做好了充分准备。预计在未来几年内，这一设施将为全球NAND市场的发展提供重要支持。