24 12 月, 2025

AMD 推出 EXPO 1.20 技术:提升 DDR5 内存性能,支持 CUDIMM

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IT之家 12 月 24 日消息,近日硬件检测软件 HWiNFO 发布的 v8.35 Beta 版本更新日志中,出现了“添加支持 AMD EXPO 1.20”的字样,标志着 AMD 正在开发其下一代内存超频技术。这一发展引起了业内的广泛关注。

EXPO,全称为 Extended Profiles for Overclocking,是 AMD 推出的“内存一键超频”功能,类似于英特尔的 XMP 技术。内存厂商在出厂时将经过测试的最佳频率和时序参数写入内存条中,用户在 AMD 主板 BIOS 中开启 EXPO 功能后,系统会自动读取并应用这些参数,从而无需手动调试即可使内存运行在标称的高性能速度下。

EXPO 1.20 的战术目标

目前,AM5 主板在更新 AGESA 固件后,已经能够支持 8000 MT/s 甚至更高频率的 DDR5 内存。然而,EXPO 1.20 的推出显然有着更明确的战术目标。分析指出,这项技术极有可能是为计划于 2026 年上半年发布的 Ryzen 9000G 系列(代号“Strix”)APU 量身定制。通过 EXPO 1.20 提供的优化配置文件,用户有望更轻松地释放 APU 的图形性能与 NPU 算力。

硬件层面的重大规划

除了软件层面的 EXPO 升级,主板厂商还透露了 AMD 在硬件层面的重大规划。消息显示,AMD 正积极致力于在 AM5 平台上引入对 CUDIMM(带时钟驱动的无缓冲双列直插内存模块)的支持。

CUDIMM 在传统内存条上增加了一颗 CKD(时钟驱动器)芯片。这颗芯片能重新生成并缓冲时钟信号,解决了高频下信号衰减和不稳定的问题,从而让 DDR5 内存能够突破更高的频率极限(如 9000 MT/s 以上)。

与英特尔的竞争

虽然这一功能不会随 EXPO 1.20 立即上线,但预计将在 2026 年下半年随基于 Zen 6 架构的新一代 Ryzen 处理器正式实装。此举将填补 AMD 在内存技术上与英特尔的差距,后者已在 Arrow Lake 及未来的 Nova Lake 平台上大力推广 CUDIMM,以实现更高的内存频率与稳定性。

“AMD 在内存技术上的进步将显著提升其市场竞争力,尤其是在高性能计算领域。”

这一系列的技术更新不仅展示了 AMD 在内存技术上的创新能力,也预示着未来几年内存市场的激烈竞争。随着 AMD 和英特尔在各自平台上的不断推进,消费者将有望享受到更高性能的内存解决方案。

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